三星又嗆聲!稱GAA技術領先臺積電 現實數據大打臉

三星又嗆聲!稱GAA技術領先臺積電 現實數據大打臉

三星電子稱GAA技術領先主要競爭對手臺積電。(圖/美聯社)

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南韓科技大廠三星電子不斷聲稱要在20230年非記憶體的全球系統半導體龍頭,並打算在下一代製程節點3奈米制程採用環繞閘極技術(Gate-All-AroundGAA),三星在25日線上召開的三星科技暨事業論壇(Samsung Tech & Career Forum)指出,三星GAA技術開發進度不會輸給主要競爭對手、也就是全球晶圓代工龍頭臺積電。

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據《Business Korea》報導,三星「裝置解決方案」(Device Solution DS)事業部科技長Jeong Eun-seung在論壇上提及,三星2017年纔將晶圓代工業務獨立出來,並以該公司在記憶體市業成長性來看,三星表示,從多重閘道 3D 電晶體的鰭式場效電晶體(FinFET)發展至4D的GAA技術,領先主要競爭對手臺積電,預料晶圓代工事業發展遲早會超越臺積電。Jeong Eun-seung舉例,三星曾經開發出的採用FinFET架構的14MHz產品,也領先過臺積電。

根據三星2019年與客戶測試的3奈米制程產品,GAA技術的晶片面積縮減45%,效能增加50%。三星今年3月於IEEE 國際積體電路會議公佈3奈米制程GAA技術細節。日前也宣佈,三星3奈米制程正式流片 (Tape Out),主要是與新思科技 (Synopsys) 合作,加速爲 GAA技術提供最佳化解決方案,預料將運用在在高效能運算 (HPC)、5G、通訊、AI等應用領域上。

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三星7月進一步透露,與7奈米LPP製程相比,3GAAE製程可以在同樣功耗下提高性能30%,或是在同樣頻率下降低功耗50%,電晶體密度提升80%。

事實上,三星雖然多次放話將超越臺積電,但《BusinessKorea》就曾報導,臺積電、三星、IBM以及格羅方德,申請 GAA 製程專利數量分別佔比31.4%、20.6%、10.2%、5.5%,顯示臺積電就算GAA技術較就算直至2奈米制程才導入,仍在研發競爭力上超過競爭對手。

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